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English，物材機構, 豊橋技科大, 名古屋大学, 京都大学, 最新更新日9/3/2023 | ||
| 小出康夫 物質・材料研究機構(NIMS) 特命研究員 マテリアル先端リサーチインフラ運営機構長 次世代半導体グループリーダー 〒305-0047 茨城県つくば市千現1-2-1 Tel: 029-861-4311 E-mail:  |
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| 現在の研究分野： ダイヤモンドおよび窒化ガリウム半導体の光・電子デバイス開発研究 |
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English，物材機構, 豊橋技科大, 名古屋大学, 京都大学, 最新更新日9/3/2023 | ||
| 小出康夫 物質・材料研究機構(NIMS) 特命研究員 マテリアル先端リサーチインフラ運営機構長 次世代半導体グループリーダー 〒305-0047 茨城県つくば市千現1-2-1 Tel: 029-861-4311 E-mail: |
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| 現在の研究分野： ダイヤモンドおよび窒化ガリウム半導体の光・電子デバイス開発研究 |
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| ◆【原著論文】 ◆【総説＆著書】 ◆【特許】 ◆【国際会議発表】 ★【招待講演】 ★【一般発表】 -2002年〜現在（NIMS） -1993〜2002年（京大） -1985〜1993年（名大） ◆【プレス・新聞発表】 ◆【国内招待講演】 |
３１１編 １０２編 ６２件 ２３３件 ６０件 １７８件 １８９件 ３０件 １４件 ６１件 １３３件 |
●物質・材料研究機構，2002〜現在. ２２５編， ダイヤモンド半導体デバイス開発 デバイス物理(11), ＵＶセンサー (46), 光電子デバイス (21), ヘテロ接合&MOS (41), MEMS (5) |
◆【原著論文数】 ◆【特許数】 ◆【国際会議発表数】 7/3/2023 − h-index ５２ 【Resarchgate】 − h-index ５０ 【Publons】 − h-index ５３ 【Scopus】 − h-index ５６ 【Google Scholar】 ◆【論文IF値】 ◆【ORCHID】 ◆【ResearcherID】【SAMURAI】 ◆【Resarchmap】 |
| ●京都大学， 1993〜2002, ５０編，ワイドギャップ半導体のオーム性電極材料開発 ● ZnSe(10) ●GaN(18) ●SiC (3) ●Diamond(9) ●GaAs(3) ●InP(4) ●Review(3) |
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| ●名古屋大学，1988〜1993, ２８編，Ｓｉ系半導体のプロセシング科学 ガスソースMBE法によるＳｉＧｅ膜の成長過程(15)および金属/Ｓｉおよび絶縁物/Ｓｉ界面の物理化学(13) |
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| ●名古屋大学，1984〜1988, ７編 − ＧａＮおよびＡｌＧａＮ窒化物半導体のＭＯＶＰＥ成長と光電物性(7) | |||
| ●豊橋技術科学大学，1982〜 1984，１編 − ＩｎＰ化合物半導体の気相エッチングとＭＯＶＰＥ成長(1) |
| 学歴及び職歴 |
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集中講義："デバイス・コンタクトの物理化学" | |
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| その他 |
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