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登録特許(３７件）

  1. 特許第7479011号 六方晶窒化ホウ素薄膜の製造方法 (2022)
  2. 特許第7195539号 半導体装置、パワーデバイスおよび制御用電子装置 (2020)
  3. 特許第7217876号 電子素子、温度センサー、磁気センサー、振動センサーおよび加速度センサー (2020)
  4. 特許第7162833号 半導体装置の製造方法 (2020)
  5. 特許第7191322号 半導体基板の製造方法 (2020)
  6. 特許第7160318号 半導体装置および半導体装置の製造方法 (2020)
  7. 特許第7067702号 窒化ガリウム系の半導体装置及びその製造方法 (2019)
  8. 特許第6989091号 ダイヤモンド構造体、ダイヤモンド・カンチレバー、およびダイヤモンド構造体の製造方法 (2019)
  9. 特許第6783463号 ダイヤモンド半導体装置、それを用いたロジック装置、及びダイヤモンド半導体装置の製造方法 (2018)
  10. 特許第6519792号 ノーマリーオフ特性を有する水素化ダイヤモンドＭＩＳＦＥＴの製造方法 (2017)
  11. 特許第6713167号　トリプルゲートＨ−ダイヤモンドＭＩＳＦＥＴ及びその製造方法 (2017)
  12. 特許第5791026号 紫外光検出デバイス及びその製造方法 (2015)
  13. 特許第5747245号 電界効果トランジスタ及びその製造方法 (2015)
  14. 特許第5741888号 光学フィルタ及び表示装置 (2015)
  15. 特許第5697069号 グラフェントランジスタ (2015)
  16. 特許第5626972号 電子機械スイッチ及びその製造方法 (2014)
  17. 特許第5504565号 ダイヤモンド紫外線センサー素子とその製造方法、並びに紫外線センサー装置 (2014)
  18. 特許第5500543号 硫化亜鉛ナノベルト、紫外線検知センサー及びこれらの製造法 (2014)
  19. 特許第5414050号 マイクロスケールの紫外線センサー及びその製造方法 (2013)
  20. 特許第5403519号 単結晶ダイヤモンド・エアギャップ構造体の作製方法 (2013)
  21. 特許第5360766号 ダイヤモンド半導体デバイス (2013)
  22. 特許第5344482号 単結晶ダイヤモンド上にPZT薄膜を形成する方法、PZT薄膜が形成された単結晶ダイヤモンド、及びPZT薄膜が形成された単結晶ダイヤモンドを使用したキャパシタ (2013)
  23. 特許第5158777号 ダイヤモンド半導体整流素子 (2012)
  24. 特許第5019305号 ダイヤモンド紫外線センサー (2012)
  25. 特許第4766363号 ダイヤモンド紫外光センサー素子及びその製造方法 (2011)
  26. 特許第4766364号 ダイヤモンド紫外光トランジスター及びその製造方法 (2011)
  27. 特許第4677634号 ダイヤモンド紫外線センサー素子 (2011)
  28. 特許第4650491号 ダイヤモンド紫外光センサー (2010)
  29. 特許第4123496号 ダイヤモンド紫外光センサー (2008)
  30. 特許4023121号 II族窒化ガリウム系化合物半導体素子用のｎ型電極 (2001)
  31. 特許4026339号 ｐ型ＳｉＣ用電極 (2001)
  32. 特許3846150号 III族窒化ガリウム系化合物半導体素子および電極形成方法 (2000))
  33. 特許3555419号 窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成法及び素子の製造方法 (1997)
  34. 特許3309745号 GaN系化合物半導体発光素子及びその製造方法 (1996)
  35. 特許3557791号 ３族窒化物半導体の電極及びその電極有した素子 (1996)
  36. 特許3461611号 II-VI族化合物半導体装置及びその製造方法 (1995)
  37. 特許2785977号 プラズマ励起蒸着法による酸化物高温超伝導薄膜の形成方法とその装置 (1989)

公開特許(１２件）

  1. 特開2021118287号 磁気センサー (2021)
  2. 特開2019012826号 ガリウム窒化物半導体基板の製造方法、ガリウム窒化物半導体装置の製造方法および撮像素子の製造方法 (2019)
  3. 特開2015149376号 半導体光検出器 (2015)
  4. 特開2011119291号 単結晶ＺｎＳｅナノベルトを使用した青色／紫外線光検知デバイス、及びその製造方法 (2011)
  5. 特開2009023855号 ダイヤモンド表面の改質方法とそれに用いるカバー材。 (2009)
  6. 特開WO2009005134号 ダイヤモンド半導体デバイス (2009)
  7. 特開WO2007015431号 ダイヤモンド紫外光センサー (2007)
  8. 特開WO2006087937号 ダイヤモンド半導体整流素子 (2006)
  9. 特開2006156464号 ダイヤモンド紫外光センサー (2006)
  10. 特開2000-082843号 窒化ガリウム系化合物半導体素子 (2000)
  11. 特開07263751号 II-VI族化合物半導体装置及びその製造方法 (1994)
  12. 特開07263372号 II-VI族化合物半導体装置およびその製造方法 (1994)

外国特許（２６件）

  1. No. US20130043213A1 METHOD FOR PRODUCING SINGLE-CRYSTAL DIAMOND MOVABLE STRUCTURE (2013)
  2. No. EP2540877A1 SINGLE CRYSTAL DIAMOND MOVABLE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF (2013)
  3. No. WO2011102474A1 SINGLE CRYSTAL DIAMOND MOVABLE STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF (2011)
  4. No. EP2169709A4 DIAMOND SEMICONDUCTOR DEVICE (2011)
  5. No. US20110045173A1 DIAMOND UV-SENSOR ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, UV-SENSOR UNIT, AND METHOD OF TREATING DIAMOND SINGLE CRYSTAL (2011)
  6. No. US20100289031A1 DIAMOND SEMICONDUCTOR DEVICE (2010)
  7. No. EP2246896A1 DIAMOND UV SENSOR ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, UV SENSOR DEVICE, DIAMOND SINGLE CRYSTAL PROCESSING METHOD (2010)
  8. No. US20100090226A1 DIAMOND UV-RAY SENSOR (2010)
  9. No. EP2169709A1 DIAMOND SEMICONDUCTOR DEVICE (2010)
  10. No. WO2009099233A1 DIAMOND UV SENSOR ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, UV SENSOR DEVICE, DIAMOND SINGLE CRYSTAL PROCESSING METHOD (2009)
  11. No. US20090134403A1 DIAMOND ULTRAVIOLET SENSOR (2009)
  12. No. WO2009005134A1 DIAMOND SEMICONDUCTOR DEVICE (2009)
  13. No. WO2007015431A1 DIAMOND UV-RAY SENSOR (2007)
  14. No. WO2006087937A1 DIAMOND SEMICONDUCTOR RECTIFIER ELEMENT (2006)
  15. No. WO2006057246A1 DIAMOND ULTRAVIOLET SENSOR (2006)
  16. No. KR100478076B PROCESS FOR PRODUCING A GAN RELATED COMPOUND SEMICONDUCTOR (2005)
  17. No. KR100436102B METHOD OF MANUFACTURING GaN BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE HAVING LIGHT TRANSMITTING ELECTRODE WITH IMPROVED ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES (2004)
  18. No. EP1424726 N-ELECTRODE FOR III GROUP NITRIDE BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT (2004)
  19. No. EP1424725 ELECTRODE FOR p-TYPE SiC (2004)
  20. No. CN1473356 n-electrode for III group nitride based compound semiconductor element (2004)
  21. No. TW563207B N-type electrode for III nitride-system compound semiconductor element, III nitride-system compound semiconductor element, and method for producing the same (2003)
  22. No. EP1251567 GaN related compound semiconductor and process for producing the same. (2002)
  23. No. EP0845818 GaN related compound semiconductor device and process for producing the same (1998)
  24. No. CN1553478 GaN related compound semiconductor device and process for producing the same (1997)
  25. No. EP0674348 II-VI Group compound semiconductor device and method for manufacturing the same (1995)
  26. No. EP0674347 II-VI Group compound semiconductor device and method for manufacturing the same (1995)
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