総　説 (Bulletins), ９７編：日本語ホームへ, English Main Page,

  1. 展望　「窒化物半導体とダイヤモンドの将来展望」 小出康夫，ニューダイヤモンドフォーラム, NEW DIAMOND誌、第１５２号，vol.40, No. 1, (2024年1月25日号)
  2. トピックス「ホウ素ドープダイヤモンド金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ」 劉江偉，寺地徳之，達博，小出康夫，ニューダイヤモンドフォーラム, NEW DIAMOND誌、第１５２号，vol.40, No. 1, (2024年1月25日号)
  3. 「マテリアル先端リサーチインフラ～データ共用および設備共用への発展～」 小出康夫，Nanotech Japan Bultein, ウェブマガジン, Vol. 14, No. 6, 2021年12月24発行．
  4. [Updating equipment sharing networks] Development of Advanced Research Infrastructure for Materials and Nanotechnology to collect data nationwide" Y. Koide, NIMS NOW international, vol.19, No.5, August-September, (2021).
  6. [装置共用ネットワークをアップデートする] データの収集拠点を全国へ展開 「マテリアル先端リサーチインフラ」 小出　康夫, NIMS NOW, Vol.21 No.5 <8-9月号> マテリアルDXの真価?材料の現場が、研究のあり方が変わる?, 2021.11.22 発行
  7. 「ナノテク基盤　高水準の研究支える」　材料進化の最前線　NIMS最新成果108，小出康夫，日刊工業新聞，2021年11月10日(水)，23面
  8. Obiturary, “Isamu Akasaki in memoriam,” Y. Koide, Nature Photonics, vol. 15, August 2021, p.551-552, (2021).
  9. 巻頭言 「赤﨑先生の思い出」 小出康夫，Crystal Letters, 結晶工学ニュース、応用物理学会結晶工学分科会, p.1-2, 第116号，No. 77, (2021年5月31日)
  10. 巻頭言 「2021科学技術の雑感」 小出康夫，ニューダイヤモンドフォーラム, NEW DIAMOND誌、第１４２号，vol.37, No. 3, (2021年7月25日号)
  11. 「ウィズ＆ポストコロナにおける研究開発と共用施設・設備支援」 小出 康夫,　俯瞰ワークショップ報告書，ナノテクノロジー・材料分野全体会議「ポストコロナ時代における研究開発・人材育成手法の変革と注目すべき技術領域」, CRDS-FY2020-WR-10, JST研究開発研究センター，令和3年3月，p.24-31.
  12. 「パワー半導体材料及びデバイス開発の最前線と展望」 小出 康夫，2019年度微細加工ナノプラットフォームコンソーシアムシンポジウム　共用施設から生まれるイノベーション～ナノテクが拓く未来～，令和２年3月6日，東大武田ホール, p.1-16.
  13. 「単結晶ダイヤモンドMEMSデバイスの研究」 廖 梅勇, 井村 将隆, サン リウエン, 寺地 徳之, 小泉 聡, 小出 康夫. NEW DIAMOND. 34 [1] (2018) 12.
  14. 「パワーデバイス用ダイヤモンド結晶」　特集　パワーデバイス用半導体結晶 -Si, SiC, GaN, ダイヤモンド, Ga2O3 ‐　寺地徳之，小出康夫，電気学会誌, 137巻，10号，2017年，p. 689-692.
  15. Special Talk, "To increase the performance of gallium nitride materials - Amano-Koide Collaborative Research Lab launched -", Amano Hiroshi and Yasuo Koide, NIMS NOW, Vol.15 No.4 <2017 July-August> p. 4-7.
  16. 特別対談　天野浩Ｘ小出康夫　技術開発・共用部門　SPECIAL TOPIC　注目の窒化ガリウムの性能向上を目指して　「天野・小出共同研究ラボ」誕生！NIMS NOW，vol. 4，6-7月号，2017年，p. 4-7.
  17. Special Talk "Advancement of AI boosts R&D of sensors," Y. Koide, NIMS NOW International, Vol.14, No.5, p.4-7, 2016.
  18. 特別対談 「人工知能の発展で研究開発が進む「センサ」」，小出康夫，NIMS NOW，vol. 5，8-9月号，2016年，p. 4-7.
  19. "Samco-Interview", 小出康夫，Samco Now, vol. 95, 10月号 2016年10月22日，p.3-4.
  20. 「物質・材料研究における科学技術イノベーションに向けて」，小出康夫，エネルギーレビュー，第429号，10月号, 2016年9月15日，p. 8-9.
  21. 巻頭言 「パワー半導体デバイスたる匠技術」 小出康夫，ニューダイヤモンドフォーラム, NEW DIAMOND誌、第１２２号，vol.32, No. 3, (2016年7月6日号)
  22. 「2014年ノーベル賞授賞式に参加して」，小出康夫，ニューダイヤモンド，NEW DIAMOND誌，第117号，vol. 31, No.2, 平成27年4月25日号，p. 2-3.
  23. 「微細加工プラットフォーム―多種多様な材料に対応するナノテク研究支援―」，小出康夫，工業材料，vol. 63，No. 3，2015年，p. 73-75.
  24. [Interview] "Blue light shines after years of adversity," Y. Koide, NIMS NOW International, Vol. 13, No. 01, <Dec-Jan>, 2015, p. 12-14.
  26. “Doping and interface of homoepitaxial diamond for electronic applications,” S. Yamazaki, E. Gheeraert, and Y. Koide, MRS Bullteins, vol. 39, 499 (2014).
  27. 「ダイヤモンドを用いた光・電子デバイスの開発」 小出　康夫，廖　梅勇，井村　将隆，スマートプロセス学会誌，第２巻，第５号，p. 224-229, ２０１３年．
  28. 「ＡｌＮ／ダイヤモンドヘテロ接合ＦＥＴとＭＥＭＳスイッチ」 小出　康夫，廖　梅勇，井村　将隆， 応用電子物性分科会誌, 第１９巻，第３号、２０１３年．
  29. 巻頭言 「パワー半導体デバイスたる匠・国宝技術」 小出康夫，応用電子物性分科会誌, 第１８巻，第４号、２０１２年.
  30. 「窒化アルミニウム／ダイヤモンド　ヘテロ接合を用いた電界効果トランジスタ」　井村将隆，廖梅勇，小出康夫，ニューダイヤモンド NEW DIAMOND, 第105号，vol. 28, No. 2, p. 36-38, 2012年，（平成２４年４月２５日号）
  31. 「ダイヤモンドセンサとセンシング物理」　小出康夫，廖梅勇，ニューダイヤモンド NEW DIAMOND, 第104号，vol. 28, No. 1, p. 14-20, 2012年，（平成２４年１月２５日号）
  32. 「単結晶ダイヤモンドセンサＮＥＭＳスイッチ」　廖梅勇，菱田俊一，小泉聡，小出康夫，ニューダイヤモンド NEW DIAMOND, 第104号，vol. 28, No. 1, p. 28-29, 2012年，（平成２４年１月２５日号）
  33. 「Creation of Diamond Nanoelectromechanical Switch」 M. Y. Liao, S. Hishida, Y. Koide, NIMS NOW International, Vol. 11, No. 5, June p. 11, 2011.
  34. 「ダイヤモンドナノマシンスイッチの創製」　廖梅勇、菱田俊一，小出康夫，NIMS NOW，Vo. 11，No. 5，2011年，p. 11.
  35. 「高感度ダイヤモンド紫外線センサの開発とセンシング学理の構築」　小出康夫，金属，vol. 81, No.4, p. 307-314　2011.
  36. 「2050年のダイヤモンド将来展望―パワーデバイス・原子力応用・量子などを中心に―　5. 2050年のダイヤモンドセンサ」　小出康夫，ニューダイヤモンド NEW DIAMOND, 第100号，vol. 27, No. 1, p. 52-65, ２０１１年，（平成２３年１月２５日号）
  37. 「Wide-bandgap nanowires for UV-light detection」, Jean-Jacques Delaunay, Yanbo Li, Takero Tokizono, Meiyong Liao, and Yasuo Koide, SPIE, News room, Optoelectronics & Communications, March 10, 2011.
  38. "Developing A Color Filter Using Surface Plasmon Resonance," Kazuo Sato, Hisayoshi Fujikawa, Atsushi Miura, Tsuyoshi Nomura, and Daisuke Inoue, Yasuo Koide, Yoshimasa Sugimoto, Naoki Ikeda, and Hiroki Tsuda, Nanotech Japan Bulltein, vol. 3, No. 2, 2010-11-02 Focus 26: Topics Close-Up <No. 3>
  39. 「表面プラズモン共鳴を利用したカラーフィルタの開発」, 佐藤和夫，藤川久喜，三浦篤志，野村壮史，井上大介, 小出康夫，杉本喜正，池田直樹，津谷大樹, Nanotech Japan Bulletin, Vol. 3, No. 2, 2010年4月1日発行, フォーカス26＜第３回＞
  40. ｢Diamond Semiconductors and Deep UV Sensors｣, Y. Koide, NIMS NOW International, Vol. 8, No. 1, January, 2010, p. 5.
  41. ｢ダイヤモンド半導体と深紫外線センサ｣，小出康夫，NIMS NOW，vol.10，No. 1，２０１０年，p. 5.
  42. 「ダイヤモンド電子デバイスのための半導体物理」，小出康夫，ニューダイヤモンド NEW DIAMOND, 第95号，vol. 25, No. 4, p. 9-16, 2009年，（平成21年10月25日号）
  43. "Development of Full Color Filter Using Surface Plasmon," N. Ikeda, D. Tsuya, Y. Sugimoto, and Y. Koide, NIMS NOW International, 2009, Vol. 7, No.6, p. 9.
  44. 「表面プラズモンを利用したフルカラーフィルタの開発」, 池田 直樹, 津谷 大樹, 杉本 喜正, 小出 康夫, NIMS NOW, 2009, Vol. 9, No. 6, p. 9.
  45. 「ダイヤモンドを用いた紫外線センサの開発」，小出康夫，日本セラミックス協会 セラミックス誌　｢特集 安全・安心のためのセラミックスセンサII｣，日本セラミックス協会，第４４巻，３月号，２００９年，p. 161-167.
  46. 「物理センサ：研究・開発の考え方とその動向」，羽田肇，小出康夫，日本セラミックス協会 セラミックス誌　｢特集 安全・安心のためのセラミックスセンサII｣，日本セラミックス協会，第４４巻，３月号，２００９年，p. 134-137.
  47. 「ダイヤモンドを用いた光センサの開発」，小出康夫，廖梅勇，ホセアルバレッツ，マテリアルインテグレーション｢特集 発光材料の新展開｣，ティー・アイ・シー，第２１巻，１２月号，２００８年，p. 1-8.
  48. 「Successful Development of a Diamond Fire Detection System - With the Aim of Contributing to a Safe Secure Society -」 Y. Koide, NIMS NOW International, Vol. 5, No. 11 November, 2007, p. 8
  49. 「ダイヤモンド火災検知システムの開発に成功―安全・安心社会への貢献をめざして―」，小出康夫，NIMS NOW，vol.7， No. 11，２００７年，p. 8
  50. 「金属／ダイヤモンド界面と深紫外線センサ素子」，小出康夫，廖梅勇，ホセアルバレッツ，電気学会電子材料研究会資料，EFM-07-16，２００７年，p. 5-10.
  51. 「高感度ダイヤモンド紫外線センサおよび火災検知システムの開発」 NIMS研究成果，２００６年度主要研究成果８件，２００７年，p. 9-10, 小出康夫
  52. 「ダイヤモンド紫外線センサを用いた火災検知システム」，小出康夫，光アライアンス，日本工業出版，６月号，第１８巻，２００７年，p. 5-10.
  53. 「ダイヤモンド紫外線センサー」，小出康夫， 日本金属学会会報　「まてりあ」，第４６巻，４月号，２００７年，p. 272-278.
  54. 「２００６年度物質材料研究アウトルック」 第６章，２．センサ用材料　（1）光学センシング材料，小出康夫，p. 379-382.
  55. 「熱安定ダイヤモンド紫外線フォトダイオード」，小出康夫， ニューダイヤモンドフォーラム　平成１８年度第２回研究会講演要旨集，p. 22-28，２００６年．
  56. 「Discovery of Giant Light Transimission Effect at Hydrogenated Diamond Surface」,NIMS NOW International, vol. 4, No. 5, May, (2006), J. Alvarez, M. Y. Meiyong, Yasuo Koide
  57. 「水素化ダイヤモンド表面の巨大光伝導効果を発見」，ホセアルバレッツ，リョオメイヨン，小出康夫，NIMS NOW, vol. 6, No. 5, p. 8, 2006.
  58. 「ダイヤモンド半導体光・電子デバイスの展望」，小出康夫，日本金属学会セミナーテキスト 「非シリコン半導体の現状と展望」, JIM SEMINAR，No. 100, p．11－21，2006.
  59. 「ダイヤモンド紫外線センサー」　小出康夫，機能材料，シーエムシー出版，２００６年４月号，Vol.26, No. 4, p. 25-32.
  60. 「水素を修飾したダイヤモンド表面に特有な巨大光伝導効果を発見」　小出康夫，日本セラミックス協会，セラミックス，2006年１月号，p. 53.
  61. 「超高感度・深紫外線センサの開発に向けて-水素修飾のダイヤモンド半導体で巨大な光伝導効果を発見-」　小出康夫，OHM，２００６年１月号，p. 10-11．
  62. 「熱安定ダイヤモンド深紫外線フォトダイオードの開発」　小出康夫，寥梅勇，ホセアルバレッツ，ニューダイヤモンドフォーラム，７９巻，p. ３２－３３，（２００５）．
  63. 「教育シンポジウム｢崖っ淵の科学教育｣」　小出康夫，鈴木恒則　応用物理，第７４巻，第３号，３７８　（２００５）．
  64. ｢Solar-Blind Ultraviolet Sensor｣, NIMS NOW International, vol. 3, No. 2, Febuary, (2005), Yasuo Koide
  65. 「太陽光ブラインド紫外光センサー」、小出康夫, NIMS NOW, vol. 5, No. 2, p. 8, 2005.
  66. ｢Measurement of Potential Distribution at Diamond Interface - Aiming at the Development of Practical Optoelectronic Devices -｣, NIMS NOW Internatioal, vol. 2, No. 12, October, (2004) Yasuo Koide and Colin Humphleys
  67. 「ダイヤモンド界面の電位分布観測」ー光電子デバイス実用化を目指してー、小出康夫、Colin Humphleys, NIMS NOW, vol. 4, No. 10, p. 5, 2004
  68. 「ダイヤモンドのドーピング制御」，小出康夫，第３３回薄膜・表面物理基礎講座「これでわかる！ダイヤモンド薄膜の基礎と応用」，応用物理学会薄膜・表面物理分科会，２００４年１１月１１日～１２日，ｐ．３１
  69. 「ダイヤモンド電子デバイスの展望」，小出康夫，ニューダイヤモンドフォーラム，vol. 74, No. 3, p. 36. 2004．
  70. 「電子・情報デバイスの材料戦略概要」　大貫仁，長野隆洋，小出康夫，中谷亮一，赤星晴夫，日本金属学会誌「まてりあ」，第４３巻，第１号，ｐ．３－６，２００４.
  71. ｢ＧａＮ表面制御と電極形成｣，第３０回薄膜表面セミナー　応用物理学会薄膜表面分科会, 2002年７月１５日，小出康夫
  72. 巻頭言 「ＧａＮとＳｉＣの活躍」 小出康夫 （京大工）, 応用電子物性分科会誌, 第７巻，第３号, ２００１年, p. 141.
  73. ｢コンタクト工学の現状｣，機械の研究，第５３巻，第４号，p. 9-17，２００１年２月，村上正紀、小出康夫
  74. ｢窒化物半導体国際ワークショップ（IWN2000)報告．III．ワークショップにおけるトピック｣，応用物理学会応用電子物性分科会誌，第６巻，第４号，p. 131-132，２０００年１２月，小出康夫
  75. 「GaNオーム性電極形成技術」応用物理学会誌、第69巻、第11号、2000年11月, 小出康夫、村上正紀
  76. 「ワイドギャップ半導体へのオーミック・コンタクト」ＳｉＣ及び関連ワイドギャップ半導体研究会，第８回講演会予稿集，p.8，１９９９年１２月１６，１７日、つくば国際会議場、小出康夫、村上正紀
  77. 「M／S界面の電気特性評価とその物理」応用物理学会結晶工学分科会第５回結晶工学セミナーテキスト, p.11-20. 1999年, 11月22日.　小出康夫
  78. 「p型GaNに対する低抵抗オーム性TaTi電極の形成及び劣化機構」 電子情報通信学会・信学技法, ED99-2, p.7-12,1999年. 4月, 鈴木正明、荒井知之、松永健太郎、川上俊之、小出康夫、村上正紀、上村俊也、柴田直樹、多賀康訓
  79. 「The Blue Laser Diode」日本金属学会会報「まてりあ」 , 第34巻、第12号、p.1036、小出康夫
  80. 「金属・半導体界面反応の微細構造と電気特性」　日本金属学会会報「まてりあ」 , 第34巻、第12号、p.998、村上正紀、小出康夫、奥　健夫
  81. 「p型GaNに対する低抵抗オーム性TaTi電極」 電子情報通信学会・信学技法, ED98-145, CPM-148, p. 77-81,1998年. 11月, 鈴木正明、川上俊之、荒井知之、小林節子、小出康夫、村上正紀、上村俊也、柴田直樹
  82. 「p型GaNに対するオーム性電極材の酸素アニール効果」　電子情報通信学会・信学技法, ED98-96, p. 89-94, 1998年. 7月, 前田知幸、藤田聡、小出康夫、村上正紀、上村俊也、柴田直樹
  83. 「p-ZnSeおよびp-GaNワイドギャップ半導体のオーム性電極」　電子情報通信学会論文誌　Vol.J81-C-II, No. 10, October, 1998年, p. 805-809, 小出康夫、村上正紀
  84. 「金属／ワイドバンドギャップ半導体界面とオーム性電極」　電子情報通信学会・信学技法, ED97-69, 1997年. 7月, 小出康夫、村上正紀
  85. 「半導体デバイスに求められる金属／半導体界面構造」　日本金属学会セミナー、「界面科学と材料接合」、p. 65-77, 1997. 10月, 村上正紀、小出康夫
  86. 「第５回新ダイヤモンド科学技術に関する国際会議参加報告」 電子工業月報、３月号、p. 24-27, 1997年3月, 小出康夫
  87. 「半導体ダイヤモンド／金属界面の電気伝導機構」 ニューダイヤモンド －Japan New Diamond Forum－, 第４３号、第１２巻、第 ４号, p.6-11, 1996. 10月, 小出康夫, 大槻　徴, 村上正紀
  88. 「金属／半導体および半導体／半導体接合界面におけるエネルギー障壁」 日本金属学会会報 「まてりあ」 , 第35巻、第5号、 p.501-505, 1996. 5月, 小出康夫, 村上正紀
  89. 「第７回ＩＩ－ＶＩ族化合物半導体とデバイス国際会議参加報告」 電子工業月報、１１月号、 p. 42-47, 1995年11月, 藤田茂夫, 小出康夫
  90. 「化合物半導体用コンタクト材料のメゾスコピック化」 日本金属学会会報「まてりあ」 , 第34巻、第8号、p. 987-991, 1995. 8月, 村上正紀, 奥　健夫, 小出康夫, 津久井克幸, 大槻　徴
  91. 「金属／ＺｎＳｅ界面とオーミック ・コンタクト」 日本金属学会会報「まてりあ」, 第33巻、第6号、p. 738-743, 1994. 6月, 小出康夫
  92. 「GeSiヘテロエピタキシー成長初期過程」 豊田研究報告, 第四十四報告, p. 49-59, 1991年5月,　財満鎮明、小出康夫、安田幸夫
  93. 「GeSiヘテロエピタキシー成長の初期過程」 電子情報通信学会・信学技法, ED91-285, CPM-91-21, p. 41-461,1991年.,　大島直樹、小出康夫、財満鎮明、安田幸夫
  94. 「GaAlNの結晶成長と光電物性」　電気学会資料・電子材料研究会、EFN-84-21. p.51-59. 1987年8月.　赤崎　勇、平松和政、小出康夫、天野　浩、澤木宣彦
  95. 「ＭＯＶＰＥ法によるα－Ａｌ2Ｏ3上へのＧａ1-XＡｌXＮ(0<x<1)の成長と物性」　応用物理学会結晶成長工学分科会第４回結晶工学シンポジウム、1987年7月17日、天野　浩、小出康夫、服部克巳、平松和政、澤木宣彦、赤崎　勇、真部勝英
  96. 「ＭＯＶＰＥ法によるＡｌXＧａ1-XＮの結晶成長」　電子通信学会技術研究報告、CPM84-122. 1985年2月、小出康夫、伊藤　浩、天野　浩、橋本　雅文、澤木宣彦、赤崎　勇
  97. 「ＩｎＰの気相エッチングとＭＯＣＶＤ」　電気学会資料・電子材料研究会、EFN-84-22. 1984年7月.　小出康夫、今井公正、朴　康司、吉田　明、中村哲朗、安田幸夫

著　書（Books, ８編）

  1. ｢半導体製造プロセス・材料の技術と市場2024｣，第８章　次世代パワー半導体デバイス開発における材料学的課題，2024年4月2日，(株）シーエムシー出版， 小出康夫
  2. ｢バンドギャップエンジニアリング‐次世代高効率デバイスへの挑戦‐｣，第ＩＩ編応用　第６章　ソーラーブラインド特性とその応用，2018年08月10日，(株）シーエムシー出版， 小出康夫
  3. 「環境・エネルギー材料ハンドブック」，　第１章，１．４節「ＬＥＤ材料」，p.135-140, 2010，物質・材料研究機構監修，オーム社，　小出康夫，小泉聡
  4. 「ダイヤモンドエレクトロニクスの最前線」，第１４章，オーミックコンタクト，(株）シーエムシー出版，p. 162-179, 2008年9月，小出康夫，寺地徳之
  5. 「ダイヤモンドエレクトロニクスの最前線」，第２１章，光センサの技術展望，(株）シーエムシー出版，p. 243-250, 2008年9月，小出康夫
  6. 「薄膜作製応用ハンドブック」, 第２章，第１節　導電体薄膜，１．金属, （株）ＮＴＳ p.36-47, 1995年11月30日発刊, 小出康夫, 村上正紀
  7. 「結晶成長ハンドブック」 第３章　キーマテリアルのエピタキシー:3.1 Si, 日本結晶成長学会編（株）共立出版, 1995年9月1日発刊, 小出康夫, 安田幸夫
  8. 「表面科学の基礎と応用－絶縁体・誘電体材料」, 日本表面科学会編, (株)ＮＴＳ p.802-812, 1991年8月発刊, 小出康夫, 安田幸夫

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